[发明专利]单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质有效
| 申请号： | 201811465277.6 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111254485B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王正远;李侨;徐战军 | 申请（专利权）人： | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B29/06;G06F17/18 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 张智锐 |
| 地址： | 710199 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开提供一种单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质，涉及晶体制造技术领域，能够自动调整晶体等径生长的控制力度，进而更好的控制晶体直径。具体技术方案为：获取第i个循环周期的PID初始值；对第i个循环周期的PID初始值进行修正，得到第i个循环周期的PID修正值；根据第i个循环周期的PID修正值控制第i个循环周期的晶体生长直径。本发明用于控制单晶硅的等径生长。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 控制 方法 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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