[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片在审
| 申请号： | 201811465398.0 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109802023A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;张奕;董彬忠;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片，属于发光二极管制造领域。在P型AlGaN电子阻挡层上通过磁控溅射的方式沉积AlN层，AlN层的生长质量较好可较好地阻挡P型AlGaN电子阻挡层中的缺陷，避免P型AlGaN电子阻挡层中的缺陷延伸至AlN层上的P型GaN层中，提高P型GaN层和P型接触层的晶体质量。P型GaN层的质量得到保证，因此可使得P型GaN层的厚度与温度减小，P型GaN层的晶体质量也可得到保证。P型GaN层的厚度的减小相应地可减轻P型GaN层的吸光情况，提高发光二极管的发光效率，而P型GaN层的温度的减小也可减轻InGaN/GaN多量子阱层中In元素的分解情况，最终提高发光二极管的发光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延片 减小 制备 磁控溅射 发光效率 吸光 沉积 发光 保证 阻挡 分解 生长 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长未掺杂GaN层；在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长InGaN/GaN多量子阱层；在所述InGaN/GaN多量子阱层上生长P型AlGaN电子阻挡层；在所述P型AlGaN电子阻挡层上生长AlN层，所述AlN层采用磁控溅射的方式沉积；在所述AlN层上生长P型GaN层；在所述P型GaN层上生长P型接触层。
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