[发明专利]发光元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811466300.3 申请日: 2013-06-07
公开(公告)号: CN110010735B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 魏志豪 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/44;H01L33/62
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一发光元件,包含导电反射层;发光二极管外延结构,在导电反射层上且具有一下表面;致密层,位于导电反射层与发光二极管外延结构之间;多层膜层,在致密层与导电反射层之间且直接接触导电反射层,多层膜层具有一上表面面向下表面且未直接接触下表面;及电极,直接接触发光二极管外延结构且具有宽度小于发光二极管外延结构的宽度;其中,致密层与多层膜层包含金属氧化物。
搜索关键词: 发光 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种发光元件,其特征在于,包含:发光二极管结构,具有第一表面;第一金属氧化物层,具有第二表面面向该第一表面且未直接接触该第一表面;第二金属氧化物层,在该第一金属氧化物层上且未直接接触该第二表面;及导电反射层,直接接触该第二金属氧化物层。
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