[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。所述低温多晶硅包括基层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极以及层间介质层。所述低温多晶硅层设于所述基层上方。所述栅极绝缘层覆于所述低温多晶硅层上。所述栅极设于所述栅极绝缘层上。所述层间介质层覆于所述栅极和所述栅极绝缘层上。所述阵列基板制备方法在沉积层间介质层前对低温多晶硅层进行氢化，在氢化后的高温环境中直接沉积层间介质层，省去了现有技术中快速热退火法活化工艺，减少了工业流程，并且节约了能源及成本。所述显示装置采用了本发明的所述阵列基板，其具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低耗能等优点。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基层；低温多晶硅层，设于所述基层上方；栅极绝缘层，覆于所述低温多晶硅层上；栅极，设于所述栅极绝缘层上；层间介质层，覆于所述栅极和所述栅极绝缘层上。