[发明专利]一种新型PSS基板结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811470642.2 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109659410A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 詹益荷;徐明金;钟梦洁 | 申请（专利权）人： | 福建中晶科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L21/86;H01L21/027 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 364000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型PSS基板结构及其制作方法，PSS基板包括单位图和曝光区，且单位图均匀分布在曝光区内，制作方法包括以下步骤：利用旋涂的方法，在PSS基板上涂覆一层负性光刻胶，将负性光刻胶曝光显影，得到带胶的具有圆形孔洞的PSS基板，然后再进行干蚀刻制程，刻出具有多个上大下小的六边形孔洞的PSS基板。本发明两组PSS基板在拼接时，可将两者的外缘拼接重叠区拼接，对不同的曝光区域进行曝光，最终各曝光区域拼接后实现整个曝光场的曝光，实现曝光的均匀性，提高曝光质量；利用本发明方法涂覆的负性光刻胶，厚度适宜，且涂覆均匀，同时配合上大下小圆形孔洞的配合，可大幅度的增加光的取出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 拼接 负性光刻胶 曝光 基板结构 曝光区域 圆形孔洞 涂覆 制作 六边形孔洞 曝光显影 上大下小 蚀刻制程 涂覆均匀 均匀性 曝光场 曝光区 重叠区 两组 旋涂 配合 取出 | ||
【主权项】：
1.一种新型PSS基板结构，其特征在于，所述PSS基板包括单位图（1）和曝光区（2），且单位图（1）均匀分布在曝光区（2）内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建中晶科技有限公司，未经福建中晶科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811470642.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
