[发明专利]制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法有效

专利信息
申请号: 201811473682.2 申请日: 2018-12-04
公开(公告)号: CN109437169B 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 刘庆彬;蔚翠;何泽召;高学栋;郭建超;周闯杰;冯志红 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: C01B32/186 分类号: C01B32/186
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 郝伟
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其是在绝缘衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长,以氢气作为载气,通入气态碳源和氮气,通过梯度法控制生长条件制备超低褶皱密度石墨烯材料。所述梯度法是将石墨烯生长过程分为低温阶段、升温阶段和高温阶段,分别控制三个阶段的温度、气体流量和压力等条件,使石墨烯在绝缘衬底上均匀分布,褶皱密度可降低至1×10‑5个/μm2以下。
搜索关键词: 制备 褶皱 密度 石墨 材料 方法
【主权项】:
1.一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法,其特征在于:在绝缘衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长,以氢气作为载气,通入气态碳源和氮气,通过梯度法控制生长条件制备超低褶皱密度石墨烯材料;所述梯度法具体为:低温阶段:生长温度为1200‑1400℃,气态碳源流量为0.001‑0.02L/min,氢气流量为1‑20L/min,C/H比0.01%‑0.1%,氮气流量为0.5‑1L/min,气体压力为500‑1000mbar,持续时间1‑20min;升温阶段:在5‑15min内将温度匀速升高30‑200℃,气态碳源流量保持不变,降低氢气流量,C/H比匀速升至0.1%‑1%,氮气流量匀速降至0.05‑0.5L/min,气体压力匀速降至100‑500mbar;高温阶段:与低温阶段温差为30‑200℃,气态碳源流量保持不变,C/H比0.1%‑1%,氮气流量为0.05‑0.5L/min,气体压力为100‑500mbar,持续时间10‑60min;上述C/H比均为气态碳源和氢气的流量之比。
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