[发明专利]微型半导体元件结构在审
| 申请号： | 201811474667.X | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111276504A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 吴志凌;刘应苍;陈培欣;史诒君;陈奕静;李玉柱;张桓仆;罗玉云;苏义闵;林子旸;赖育弘 | 申请（专利权）人： | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例揭示微型半导体元件结构。在一些实施例中，微型半导体元件结构可包括基板、设置于基板上方的多个微型半导体元件以及设置于基板及微型半导体元件之间的多个第一支撑层。微型半导体元件各自具有一第一电极及一第二电极，其设置于该些微型半导体元件的下表面上，其中该下表面包含一区域，其中该区域在该第一电极与该第二电极之间。第一支撑层于该基板上的正投影至少与该区域于该基板上的正投影部分重叠。第一支撑层与区域直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 半导体 元件 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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