[发明专利]集成电路含可变电阻式存储器单元及电阻单元及形成方法有效
| 申请号： | 201811478155.0 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111276509B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 黄清俊;邓允斌;张幼弟;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361101 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成电路含可变电阻式存储器单元及电阻单元及形成方法，该集成电路包含：一基底具有一可变电阻式存储器区以及一电阻区；一第一介电层以及一第二介电层依序设置于基底上；一图案化堆叠结构，夹置于第一介电层以及第二介电层之间，其中图案化堆叠结构由下至上包含一底导电层、一绝缘层以及一顶导电层；一第一金属插塞以及一第二金属插塞，设置于第二介电层中并分别接触可变电阻式存储器区的顶导电层以及底导电层，因而构成可变电阻式存储器单元；一第三金属插塞以及一第四金属插塞，设置于第二介电层中并接触电阻区的底导电层或顶导电层，因而构成电阻单元。本发明更提出形成此集成电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 可变 电阻 存储器 单元 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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