[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 201811488402.5 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110034118A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 新居浩二;薮内诚 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;G11C11/412;G11C11/418 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;张昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了提供地址访问时间较快的半导体存储器件。半导体存储器件包括多个存储单元和耦合至存储单元的字线。字线在第一方向上延伸。每个存储单元均包括在与第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体存储器件 存储单元 字线 地址访问 耦合 栅电极 延伸 相交 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：多个存储单元；以及字线，耦合至所述多个存储单元，其中所述字线在第一方向上延伸，并且其中所述多个存储单元中的每个存储单元均包括沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811488402.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种存储器件
- 下一篇：形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
