[发明专利]用于晶片级管芯桥的方法和设备在审
| 申请号： | 201811493073.3 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109904083A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 熊健刚;A·桑达拉扬 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/065;H01L23/482;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于晶片级管芯桥的方法和设备。将晶片级桥管芯用粘合剂层附贴到已经暂时地接合到载体的重分布层(RDL)。在所述RDL上和所述桥管芯上形成电互连件并将其封装在第一模层中。将多个管芯耦接到所述RDL和所述桥管芯，使得管芯电连接到所述RDL的至少一个电互连件和所述桥管芯的至少一个电互连件。在所述第一模层上形成第二模层以封装所述多个管芯。然后，破坏暂时接合并去除载体，从而暴露RDL连接。 | ||
| 搜索关键词： | 管芯 桥管 电互连件 晶片级 方法和设备 第一模 封装 粘合剂层 重分布层 接合 第二模 管芯电 去除 合并 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶片级桥管芯的方法，包括：形成重分布层(RDL)；和将桥管芯附贴在所述RDL上，所述桥管芯在与所述RDL相对的暴露表面上具有电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
