[发明专利]基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构在审
| 申请号： | 201811493322.9 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109449149A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 全庆霄;姜岩峰;张巧杏;袁野;王辉 | 申请（专利权）人： | 无锡豪帮高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波;曹键 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构，其特征在于它包括金属引线框架，金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件和无源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片。芯片中有一个芯片具有光灵敏控制集成电路，光灵敏控制集成电路中包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻以及第二电阻；其中：第一三极管和第四三极管是PNP晶体管，第二三极管和第三三极管是NPN晶体管。本发明的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构具有提高生产效率，降低生产成本，保证生产产品质量的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 金属引线框架 封装结构 耦合芯片 压光 灵敏 灵敏控制 芯片 电阻 集成电路 生产产品 生产效率 无源器件 源器件 锡膏 银胶 焊接 粘贴 保证 | ||
【主权项】：
1.一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的封装结构，其特征在于它包括金属引线框架，金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件和无源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片；芯片中有一个芯片具有光灵敏控制集成电路，光灵敏控制集成电路中包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻以及第二电阻；其中：第一三极管和第四三极管是PNP晶体管，第二三极管和第三三极管是NPN晶体管，其中：第一三极管、第二三极管和第一电阻组成正半周电路，第四三极管、第三三极管和第二电阻组成负半周电路，正半周电路和负半周电路头尾相连构成了整个电路，第一三极管、第二三极管、第四三极管、第三三极管形成一个逆时针的回路，第一电阻连接于第二三极管的发射极和基极之间，第二电阻连接于第三三极管的发射极和基极之间；其中：第一三极管的集电极连接第二三极管的基极，第二三极管的基极连接第一三极管的基极，该电路接交流电压。
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