[发明专利]半导体晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201811496979.0 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110034018B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 冈部秀光 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 鲁炜;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供可提高半导体层的膜厚均匀性的半导体晶片的制造方法。根据本发明所述的半导体晶片的制造方法包括：加工倾向获取步骤S10，求出使用局部干式蚀刻法的平坦化装置的加工倾向；加工前膜厚分布测定步骤S20，测定半导体层的平坦化加工前的膜厚分布；步骤S30，设定前述半导体层的预想膜厚分布；步骤S40，基于前述半导体层的目标膜厚分布和前述预想膜厚分布，在前述平坦化装置中设定目标蚀刻量分布；以及平坦化步骤S50，基于前述目标蚀刻量分布，对前述半导体层的整面进行局部干式蚀刻加工。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体晶片的制造方法，其包括：半导体层形成步骤，在用于支承基板的半导体晶片的单面侧上形成半导体层；以及平坦化步骤，通过局部干式蚀刻法对前述半导体层的整面进行平坦化加工，该制造方法的特征在于，包括：加工倾向获取步骤，求出使用局部干式蚀刻法的平坦化装置的加工倾向；加工前膜厚分布测定步骤，测定前述半导体层的平坦化加工前的膜厚分布；预想膜厚分布设定步骤，基于前述加工倾向和前述加工前膜厚分布，设定前述半导体层的预想膜厚分布；目标蚀刻量分布设定步骤，基于平坦化加工后的前述半导体层的目标膜厚分布和前述预想膜厚分布而在前述平坦化装置中设定目标蚀刻量分布；和平坦化步骤，基于前述设定的前述目标蚀刻量分布，通过前述平坦化装置对前述半导体层的整面进行局部干式蚀刻加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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