[发明专利]半导体存储器装置、存储装置及操作存储器控制器的方法有效
| 申请号： | 201811497053.3 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110322919B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 李炯珉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;赵赫 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器装置的操作方法，半导体存储器装置的操作可通过该操作方法来控制。该操作方法可包括：将第一读取命令传输至半导体存储器装置，以及基于在第一读取命令之后等待传输的命令的类型来确定是否生成放电命令。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 存储 操作 控制器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作存储器控制器的方法，所述方法操作所述存储器控制器以控制半导体存储器装置的操作，所述方法包括：将第一读取命令传输至所述半导体存储器装置；以及基于在所述第一读取命令之后等待传输的命令的类型来确定是否生成放电命令。
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