[发明专利]半导体器件制程控制方法及其控制系统有效
| 申请号： | 201811504087.0 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111293049B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 吕淑瑞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件制程控制方法及其控制系统，半导体器件包括半导体基底和M层金属层，半导体基底内形成有多个功率元件，金属层与功率元件电连接，工艺流水线包括M个工艺站和多个检测站，检测站中至少部分检测站用于通过金属层检测功率元件的电性参数，控制方法包括：判断是否进入下一工艺站，若是，则控制半导体基底进入下一工艺站并在半导体基底的表面增加一层金属层；判断是否对当前金属层进行检测，若是，则控制半导体基底进入下一检测站，并在检测站进行电性检测后，重复上述步骤。通过在金属层的制备过程通过金属层对功率元件进行电性检测，可以尽早获知前段工艺是否正常，避免生成更多不合格的产品。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 程控 方法 及其 控制系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
