[发明专利]一种功率器件终端结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811506398.0 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109585533A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泉州臻美智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率器件终端结构及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的第一外延层；在第一导电类型的第一外延层表面形成多个间隔排列的第二导电类型的第一场限环区；在所述第一外延层表面相邻的两个第一场限环区之间形成多个交替间隔排列的第一导电类型的第一注入区及第二导电类型的第二注入区；在所述第一外延层上形成第一导电类型的第二外延层在所述第二外延层内形成多个间隔排列的第二导电类型的第二场限环区；在所述第二外延层表面的两个第二场限环区之间形成多个交替间隔排列的第一导电类型的第三注入区及第二导电类型的第四注入区；通过上述方法形成使功率器件的终端区能够承担更高的反向电压。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 导电类型 场限环 外延层 注入区 外延层表面 功率器件 间隔排列 交替间隔 终端结构 衬底 反向电压 终端区 制作 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件终端结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的第一外延层；在第一导电类型的第一外延层表面形成多个间隔排列的第二导电类型的第一场限环区；在所述第一外延层表面相邻的两个第一场限环区之间形成多个交替间隔排列的第一导电类型的第一注入区及第二导电类型的第二注入区，多个所述第一注入区及所述第二注入区的两端均连接相邻的两个第一场限环区；在所述第一外延层上形成第一导电类型的第二外延层；在所述第二外延层内形成多个间隔排列的第二导电类型的第二场限环区，所述第二场限环区与所述第一场限环区上下连接；在所述第二外延层表面的两个第二场限环区之间形成多个交替间隔排列的第一导电类型的第三注入区及第二导电类型的第四注入区，所述第三注入区及所述第四注入区分别位于所述第二注入区及所述第一注入区上方且所述第三注入区与所述第四注入区的两端分别连接相邻的两个第二场限环区；通过热扩散工艺使所述第一注入区、第二注入区、第三注入区及第四注入区扩散连接在一起形成场限环耐压结构。
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