[发明专利]图像传感器

摘要

提供了一种图像传感器，其包括：衬底，所述衬底包括第一表面和面对第一表面的光入射第二表面；第一半导体光电转换元件，在衬底内部；有机光电转换元件，位于衬底的第二表面上；第一浮置扩散区域，位于衬底的第一表面上；第一转移晶体管，第一转移晶体管的第一端连接到第一半导体光电转换元件，第一转移晶体管的第二端连接到第一浮置扩散区域；以及第二转移晶体管，第二转移晶体管的第一端具有连接到有机光电转换元件，第二转移晶体管的第二端连接到第一浮置扩散区域。第一半导体光电转换元件、第一浮置扩散区域以及第一转移晶体管和第二转移晶体管可位于衬底的第一像素区域中。

主权项

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括单元像素区域，所述单元像素区域包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面；第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；有机光电转换元件，所述有机光电转换元件位于所述衬底的所述第二表面上；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第一转移晶体管，所述第一转移晶体管的第一端连接到所述第一半导体光电转换元件，所述第一转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；以及第二转移晶体管，所述第二转移晶体管的第一端连接到所述有机光电转换元件，所述第二转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域，其中，所述至少一个像素区域包括第一像素区域，并且所述第一半导体光电转换元件、所述第一浮置扩散区域以及所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管位于所述第一像素区域中。