[发明专利]显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法有效
申请号: | 201811509593.9 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN109509707B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;王庆贺;宋嘉文;罗志文;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本公开是关于一种薄膜晶体管的制方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。该制造方法包括:在衬底上形成遮光层和覆盖遮光层的缓冲层,以及依次堆叠设置缓冲层上的有源层、栅绝缘材料层和栅极材料层,有源层在衬底上的正投影覆盖部分遮光层在衬底上的正投影;形成由栅极材料层延伸至缓冲层内的凹槽,且凹槽与遮光层未被有源层覆盖的区域相对;对栅极材料层进行图案化,以形成栅极;对栅绝缘材料层进行图案化,以形成栅极绝缘层;去除凹槽底部的缓冲层,使遮光层露出;在缓冲层远离衬底的表面形成源极和漏极;形成覆盖栅极和缓冲层的介电层;在介电层与凹槽对应的位置形成露出遮光层的第一过孔,以及形成露出漏极的第二过孔。 | ||
搜索关键词: | 显示 面板 阵列 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,包括:在衬底上形成遮光层和覆盖所述遮光层的缓冲层,以及依次堆叠设置所述缓冲层上的有源层、栅绝缘材料层和栅极材料层,所述有源层在所述衬底上的正投影覆盖部分所述遮光层在所述衬底上的正投影;形成由所述栅极材料层延伸至所述缓冲层内的凹槽,且所述凹槽与所述遮光层未被所述有源层覆盖的区域相对;对所述栅极材料层进行图案化,以形成栅极;对所述栅绝缘材料层进行图案化,以形成栅极绝缘层;去除所述凹槽底部的缓冲层,使所述遮光层露出;在所述缓冲层远离所述衬底的表面形成源极和漏极;形成覆盖所述栅极和所述缓冲层的介电层;在所述介电层与所述凹槽对应的位置形成露出所述遮光层的第一过孔,以及形成露出所述漏极的第二过孔;在所述介电层远离所述衬底的一侧形成覆盖所述介电层部分区域的导线层,所述导线层包括漏极线,所述漏极线通过所述第一过孔与所述遮光层连接,并通过所述第二过孔与所述漏极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造