[发明专利]用于人工智能处理的集成电路在审
申请号: | 201811510349.4 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN109979516A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 童全钜;廖恒业 | 申请(专利权)人: | 海青智盈科技有限公司 |
主分类号: | G11C17/02 | 分类号: | G11C17/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高岩;杨林森 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了一种用于人工智能处理的集成电路。该集成电路可以包括AI逻辑电路,以及电耦接至AI逻辑电路的嵌入式一次性可编程(OTP)MRAM存储器。嵌入式OTP MRAM存储器可以包括多个存储单元、一个或更多个参考电阻器、以及用于确定每个存储单元的状态的存储器读取电路。读取电路可以包括:多路复用器,被配置成将每个存储单元电耦接至参考电阻器;源极线,选择性地向每个存储单元提供输入电信号以生成第一输出信号;驱动电路,向参考电阻器提供输入电信号以生成第二输出信号;以及比较器,被配置成将第一输出信号与第二输出信号进行比较以生成指示每个存储单元的状态的输出信号。每个参考电阻器可以在一个或多个存储器阵列中的多个存储器之间共享。 | ||
搜索关键词: | 存储单元 输出信号 参考电阻器 集成电路 人工智能 嵌入式 电耦 存储器读取电路 一次性可编程 存储器阵列 多路复用器 存储器 读取电路 驱动电路 比较器 源极线 配置 共享 | ||
【主权项】:
1.一种用于人工智能处理的集成电路,包括:人工智能逻辑电路;以及嵌入式一次性可编程MRAM存储器,电耦接至所述人工智能逻辑电路以用于存储人工智能模型参数,所述嵌入式一次性可编程MRAM存储器包括:多个存储单元,每个存储单元包括用于存储不频繁改变的人工智能模型参数的一次性可编程MTJ位单元;参考电阻器;以及存储器读取电路,包括:多路复用器,被配置成将每个存储单元电耦接至所述参考电阻器;源极线,选择性地向每个存储单元提供第一电信号以生成第一输出信号;驱动电路,向所述参考电阻器提供第二电信号以生成第二输出信号;以及比较器,被配置成将所述第一输出信号与所述第二输出信号进行比较以生成指示每个存储单元的状态的输出信号。
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