[发明专利]光电二极管的制备方法及光电二极管

摘要

本发明提供光电二极管的制备方法，包括S101：在衬底上形成氧化层；S102：在氧化层形成间隔的两个第一沟槽，在两个第一沟槽的底部形成第一注入区；S103：在衬底上形成第一开口、两个第二沟槽及两个第二沟槽之间的第二开口，对应的位置注入离子形成第二注入区、第三注入区及第四注入区；S104：去除氧化层，在衬底上形成介质层；S105：对第一注入区及第三注入区上的介质层进行刻蚀形成接触孔，之后在介质层及接触孔内形成金属层；S106：先向金属层的上表面及金属层的两侧涂覆光刻胶层，刻蚀去除未被光刻胶层覆盖的介质层，之后去除光刻胶层，最后得到光电二极管。本发明还提供一种光电二极管，提高了表面状态和可靠性。

主权项

1.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，其包括：步骤S101：提供一个第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成氧化层；步骤S102：对所述氧化层进行刻蚀形成间隔排列的两个第一沟槽，向所述第一沟槽的底部注入第二导电类型的离子形成延伸至所述衬底的第一注入区；步骤S103：去除两个第一沟槽之间的氧化层形成第一开口，去除部分所述氧化层形成间隔排列的两个第二沟槽及形成在两个第二沟槽之间的第二开口，分别向所述第一开口、所述第二沟槽及所述第二开口注入第一导电类型的离子，所述第一开口对应的位置形成第二注入区、所述第二沟槽对应的位置形成第三注入区及所述第二开口对应的位置形成第四注入区；步骤S104：去除所述氧化层，在所述衬底、所述第一注入区、所述第二注入区、所述第三注入区及所述第四注入区的上表面形成介质层；步骤S105：对所述第一注入区及所述第三注入区的上表面的介质层形成接触孔，之后在所述介质层及所述接触孔内形成金属层，刻蚀去除所述衬底、所述第二注入区及所述第四注入区的上表面对应的金属层；步骤S106：先向所述金属层的上表面及所述金属层的两侧涂覆光刻胶层，刻蚀去除未被所述光刻胶层覆盖的所述介质层，之后去除所述光刻胶层形成间隔排列的第一二极管和第二二极管，最后得到光电二极管。