[发明专利]半导体装置封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201811523001.9 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110459519A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆;方仁广 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/48;H01L23/373;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/367 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 蕭輔寬<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 半导体装置封装及其制造方法。本发明提供一种连接结构。所述连接结构包含中间导电层、第一导电层和第二导电层。所述中间导电层包含第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述中间导电层具有第一热膨胀系数。所述第一导电层与所述中间导电层的第一表面接触。所述第一导电层具有第二CTE。所述第二导电层与所述中间导电层的第二表面接触。所述第一导电层和所述第二导电层由相同材料形成。所述第一CTE和所述第二CTE中的一者为负，且另一者为正。 | ||
| 搜索关键词： | 中间导电层 第一导电层 第二导电层 第一表面 第二表面 连接结构 半导体装置 热膨胀系数 材料形成 封装 制造 | ||
【主权项】：
1.一种连接结构，其包括：/n中间导电层，其包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述中间导电层具有第一热膨胀系数(CTE)；/n第一导电层，其与所述中间导电层的所述第一表面接触，所述第一导电层具有第二CTE；/n第二导电层，其与所述中间导电层的所述第二表面接触，/n其中所述第一导电层和所述第二导电层由相同材料形成；以及/n其中所述第一CTE和所述第二CTE中的一者为负，且另一者为正。/n
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