[发明专利]一种半导体器件两次丝网印刷方法有效
| 申请号： | 201811533996.7 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111319369B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 史丽萍;王晓捧;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;李豆;赵钰 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | B41M1/12 | 分类号： | B41M1/12;B41M7/00 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件两次丝网印刷方法，其步骤包括：S1：印刷；S2：烘干；S3：烧结；S4：再次印刷；S5：再次烘干；S6：再次烧结。本发明两次印刷过程中，刮刀印刷方向的切入口均为印刷网版上相对应沟槽的正四边形的任意一边上的点，且刮刀的印刷方向与该切入点所在边垂直,同时调整两次玻璃浆料的配比，使S4所用玻璃浆料的粘稠度大于S1所用玻璃浆料的粘稠度，并分别对涂覆后的玻璃浆料进行烘干、烧结，使硅片沟槽处形成双层的玻璃钝化层，能有效解决沟槽尖角处硼结裸露及沟槽底部硅裸露的问题，使沟槽内玻璃钝化层覆盖更全面，PN结的钝化保护更完全，增强了产品的稳定性和可靠性，提高了产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 两次 丝网 印刷 方法 | ||
【主权项】：
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