[发明专利]利用激光剥离微器件的方法在审
| 申请号： | 201811535381.8 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111326464A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;邢汝博;李晓伟;韦冬;张宇;郭凯;朱正勇;李旭娜;黄秀颀 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种利用激光剥离微器件的方法。该方法包括：设置遮挡结构于第一衬底的第一表面，其中，多个微器件连接在第一衬底的第二表面上，其中，第一表面与第二表面相互平行，并且多个微器件在第二表面上形成多个连接面，遮挡结构具有至少一个开口，并且，开口中的至少一个开口所对应的位置上，只容纳一个连接面；使用激光照射开口，进而照射开口中的连接面，使得微器件与第一衬底分离，由于开口限制了激光的照射范围，进而控制激光产生冲击的范围，从而降低了剥离过程对其他微器件的影响，并且，通过设置开口，能够更方便的选择性剥离微器件，使激光的控制结构简化，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 激光 剥离 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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