[发明专利]激光剥离方法和蓝宝石衬底上发光二极管器件外延结构有效
| 申请号： | 201811536963.8 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111326409B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张豪峰 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L33/00;H01L33/02;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 065000 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种激光剥离方法和蓝宝石衬底上发光二极管器件外延结构，解决了现有技术中激光剥离蓝宝石衬底的过程中冲击波导致产品良率低的问题。该激光剥离方法包括在蓝宝石衬底上生长牺牲层，该牺牲层包括氮化系半导体层；在牺牲层中注入离子，该离子为还原性离子，受热与氮化系半导体层中的电子结合生成气体；在牺牲层表面生长发光二极管器件外延结构；采用激光穿过蓝宝石衬底对牺牲层进行照射使其分解，以将蓝宝石衬底和发光二极管器件外延结构分离。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 剥离 方法 蓝宝石 衬底 发光二极管 器件 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷（固安）科技有限公司，未经云谷（固安）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811536963.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
