[发明专利]激光器芯片的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811537764.9 申请日: 2018-12-15
公开(公告)号: CN111326948B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 陈长安;郑兆祯 申请(专利权)人: 深圳市中光工业技术研究院
主分类号: H01S5/02 分类号: H01S5/02
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 唐芳芳
地址: 518055 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种激光器芯片的制备方法,包括:提供一外延层,所述外延层包括一P面;在所述外延层的P面上形成一图案层,所述图案层包括一图案区以及除所述图案区之外的开口区;在所述开口区中形成一表面镀层;移除所述图案层,使所述表面镀层中形成与所述图案区对应的镀层图案,所述镀层图案包括多个图案线路;沿所述图案线路对所述外延层及所述表面镀层进行切割,从而得到多个激光器芯片;本发明实施例通过新型的图案层表面镀层设计,利用表面镀层中的镀层图案可直接对外延层进行劈裂分割,从而得到多个独立的激光器芯片,相较于现有的激光器芯片切割,简化了工艺流程,提高了生产效率,降低生产成本。
搜索关键词: 激光器 芯片 制备 方法
【主权项】:
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