[发明专利]一种高灵敏度霍尔元件的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811538853.5 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN109686837A 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 胡双元;米卡·瑞桑 申请(专利权)人: 苏州矩阵光电有限公司
主分类号: H01L43/04 分类号: H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 朱静谦
地址: 215614 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种高灵敏度霍尔元件的制备方法,包括以下步骤:a)提供半导体衬底;b)采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层;c)在牺牲层上制备霍尔元件功能层;d)在霍尔元件功能层表面先粘附一层柔性薄膜,然后采用选择性腐蚀方法进行腐蚀剥离,将半导体衬底与霍尔元件功能层分离;e)霍尔元件功能层粘附于磁性基板上;f)制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化;g)霍尔元件表面粘附磁性芯片,进行封装。根据本发明,采用外延方法制备的霍尔元件功能层薄膜,性能远远好于传统工艺制备的霍尔元件;采用衬底剥离方法制备霍尔元件功能层,可大大降低生产成本;磁性基板和芯片,可以大大提高霍尔元件的灵敏度。
搜索关键词: 霍尔元件 制备 功能层 衬底 粘附 半导体 磁性基板 高灵敏度 牺牲层 半导体技术领域 霍尔元件表面 功能层薄膜 功能层表面 选择性腐蚀 衬底剥离 传统工艺 磁性芯片 金属电极 柔性薄膜 台面刻蚀 灵敏度 钝化 封装 剥离 腐蚀 芯片
【主权项】:
1.一种高灵敏度霍尔元件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a)提供半导体衬底;b)采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层;c)在牺牲层上制备霍尔元件功能层;d)在霍尔元件功能层表面先粘附一层柔性薄膜,然后采用选择性腐蚀溶液进行腐蚀剥离,将半导体衬底与霍尔元件功能层分离;e)霍尔元件功能层粘附于磁性基板上;f)制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化;g)在磁性基板表面先形成一层绝缘层,然后再与霍尔元件功能层粘附,使得霍尔元件表面粘附磁性芯片,进行封装。
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