[发明专利]存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201811541949.7 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110010188B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 金成镐 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器件包括：非易失性存储电路，其适用于储存缺陷列信息；缺陷锁存电路，其适用于在启动操作期间接收并储存来自非易失性存储电路的缺陷列信息；错误校正码发生电路，其适用于基于缺陷列信息而产生用于校正缺陷列信息的错误的错误校正码；错误校正码锁存电路，其适用于储存错误校正码；错误校正电路，其适用于基于从错误校正码锁存电路传输来的错误校正码而校正从缺陷锁存电路传输来的缺陷列信息的错误以产生错误已被校正的缺陷列信息；以及存储体，其适用于基于错误已被校正的缺陷列信息而执行列修复操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：非易失性存储电路，其适用于储存缺陷列信息；缺陷锁存电路，其适用于在启动操作期间接收并储存来自所述非易失性存储电路的所述缺陷列信息；错误校正码发生电路，其适用于基于所述缺陷列信息而产生用于校正所述缺陷列信息的错误的错误校正码；错误校正码锁存电路，其适用于储存所述错误校正码；错误校正电路，其适用于：基于从所述错误校正码锁存电路传输来的所述错误校正码而校正从所述缺陷锁存电路传输来的所述缺陷列信息的错误，以产生错误已被校正的缺陷列信息；以及存储体，其适用于基于所述错误已被校正的缺陷列信息而执行列修复操作。
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