[发明专利]半导体器件和半导体系统有效
| 申请号： | 201811544186.1 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109962743B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 森长也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H04B17/14 | 分类号： | H04B17/14;H04B1/401;H04B1/44 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例提供了半导体器件和半导体系统。半导体器件包括RF电路和微控制器。RF电路具有：生成发射信号的发射单元；生成第一生成信号和第二生成信号的接收单元；以及在将发射单元的输出端子耦合到发射天线并且将接收单元的输入端子耦合到接收天线的第一耦合状态与将发射单元的输出端子耦合到接收单元的输入端子的第二耦合状态之间进行切换的发射/接收环回切换单元。微控制器将发射/接收环回切换单元切换到第二耦合状态，并且微控制器基于当发射/接收环回切换单元处于第二耦合状态时的第二生成信号、以及基于第一传感器电路的输出信号，来执行RF电路的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 系统 | ||
【主权项】：
1.一种包括RF电路和微控制器的半导体器件，其中所述RF电路包括：发射单元，生成发射信号；接收单元，生成第一生成信号和第二生成信号；以及发射/接收环回切换单元，在将所述发射单元的输出端子耦合到发射天线、并且将所述接收单元的输入端子耦合到接收天线的第一耦合状态与将所述发射单元的输出端子耦合到所述接收单元的所述输入端子的第二耦合状态之间进行切换，其中所述接收天线是接收反射波作为接收信号的天线，所述反射波是当所述发射/接收环回切换单元处于所述第一耦合状态时从所述发射天线发射、并且由目标对象反射的发射信号，以及其中在所述第一生成信号在所述发射/接收环回切换单元处于所述第一耦合状态时是不正常的情况下，所述微控制器将所述发射/接收环回切换单元切换到所述第二耦合状态，并且所述微控制器基于当所述发射/接收环回切换单元处于所述第二耦合状态时的所述第二生成信号、以及基于检测所述目标对象的第一传感器电路的输出信号，来执行所述RF电路的测试。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811544186.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
