[发明专利]一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：对单晶硅片进行清洗制绒后经扩散形成PN结；将具有PN结的所述硅片背面抛光，去除磷硅玻璃及边缘刻蚀；之后先在硅片的背面沉积Al₂O₃钝化层，再在Al₂O₃钝化层上沉积SiNx钝化膜，所述SiNx钝化膜为多层结构；在所述硅片的正面沉积SiNx减反膜后在硅片的背面激光局部开口，并丝网印刷、烧结；多层结构SiNx钝化膜中靠近所述Al₂O₃钝化层的SiNx钝化膜的折射率高于远离所述Al₂O₃钝化层的SiNx钝化膜的折射率。本发明的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，使得最终的产品能够有效地提升了电池背面对光的吸收，对双面电池背面短路电流有明显的增益，提高了电池片背面的发电效率。

主权项

1.一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：对单晶硅片进行清洗制绒后经扩散形成PN结；将具有PN结的所述硅片背面抛光，去除磷硅玻璃及边缘刻蚀；之后先在硅片的背面沉积Al₂O₃钝化层，再在Al₂O₃钝化层上沉积SiNx钝化膜，所述SiNx钝化膜为多层结构；在所述硅片的正面沉积SiNx减反膜后在硅片的背面激光局部开口，并丝网印刷、烧结；多层结构SiNx钝化膜中靠近所述Al₂O₃钝化层的SiNx钝化膜的折射率高于远离所述Al₂O₃钝化层的SiNx钝化膜的折射率。