[发明专利]光伏电池芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811547526.6 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109786474A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 黄亮;谭军毅;任星星;吴根辉;段文芳 | 申请（专利权）人： | 北京汉能光伏投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 101400 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请发明公开一种光伏电池芯片及其制作方法，所述光伏电池芯片包括基体、半导体层、第一电极层，和透光的第二电极层，所述第一电极层和第二电极层位于所述半导体层的相对两侧，所述第二电极层远离所述半导体层的表面附有至少一增透膜组合层；所述增透膜组合层包括形成在所述第二电极层表面的第一增透膜层和形成在所述第一增透膜层表面的第二增透膜层，所述第一增透膜层的折射率小于所述第二增透膜层的折射率，且所述第一增透膜层的折射率小于所述第二电极层的折射率。本发明提供的光伏电池芯片含有的增透膜组合层能很好的覆盖保护住第二电极层的表面，有效提高光的增透效果，极大的提高光伏电池芯片的光电转换效率和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 第二电极 增透膜层 光伏电池 折射率 芯片 半导体层 增透膜 组合层 第一电极 光电转换效率 使用寿命 相对两侧 增透效果 透光 制作 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种光伏电池芯片，包括基体、半导体层、位于所述基体和所述半导体层之间的第一电极层，和透光的第二电极层，所述第一电极层和第二电极层位于所述半导体层的相对两侧，其特征在于，所述第二电极层远离所述半导体层的表面附有至少一增透膜组合层；所述增透膜组合层包括形成在所述第二电极层表面的第一增透膜层和形成在所述第一增透膜层表面的第二增透膜层，所述第一增透膜层的折射率小于所述第二增透膜层的折射率，且所述第一增透膜层的折射率小于所述第二电极层的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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