[发明专利]半导体结构及制备方法、半导体连接孔结构的制备方法在审
| 申请号： | 201811550254.5 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111341646A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王通 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及制备方法、半导体连接孔结构的制备方法，半导体结构制备包括：提供待处理晶圆结构，包括器件区及晶边区；于待处理晶圆结构上形成保护光阻层，对应显露器件区至少对应覆盖晶边区；形成工艺光阻层，至少对应覆盖器件区，工艺光阻层与保护光阻层反性；图形化工艺光阻层形成图形化掩膜层，对待处理晶圆结构进行处理。本发明在待处理晶圆结构的晶边区域对应形成一光阻材料的保护层，使得该材料层覆盖的区域在洗边工艺以及其他半导体制程工艺中得到保护，可以是在刻蚀工艺中，在器件区域形成器件结构，晶边区域可以不形成刻蚀图形结构，从而该部分区域不被破坏，减少在后续的工艺过程中的该对应区域的剥离等缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 连接 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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