[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201811557485.9 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN110895956B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 今本哲広;菅原昭雄 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/26;G11C16/04 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种能够抑制写入动作的时延增加的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:第1平面及第2平面,各自包含含有多个存储单元的存储单元阵列;输入输出电路,以从控制器接收要写入到所述存储单元阵列的数据的方式构成;以及控制电路。所述第1平面还包含:第1感测放大器电路,电连接在所述第1平面内的所述多个存储单元中的第1存储单元;及第1锁存电路,串联连接在所述输入输出电路与所述第1感测放大器电路之间。所述控制电路构成为,当接收到指示对所述第1存储单元的第1写入动作的第1指令时,在伴随所述第1写入动作的所述第1锁存电路的使用完成之前受理第2指令,所述第2指令指示对所述第2平面内的所述多个存储单元中的第2存储单元的第2写入动作。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
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