[发明专利]改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法

摘要

本发明提供一种用于多晶硅切割图层修正的改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC方法，包括：获取多晶硅层、多晶硅切割图形以及参考层完整设计版图；将目标图形划分为第一类目标图形和第二类目标图形；将第一类目标图形与多晶硅线垂直的两边分别向内收缩第一尺寸；标记多晶硅切割图形的线端边，当线端边至其对面多晶硅图形的距离大于第二尺寸时，对多晶硅切割图形的线端边进行延长第三尺寸，当线端边至其对面多晶硅图形的距离小于等于第二尺寸时，若线端边E伸出长度小于第四尺寸，则对多晶硅切割图形进行加宽，加宽第五尺寸。对修正后的多晶硅层切割图形进行基于模型的OPC后续修正处理,得到mask图形。本发明能优化多晶硅图形线端刻蚀后形貌，改善多晶硅层线端尺寸均一性。

主权项

1.一种改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，其特征在于，包括以下步骤：1)获取多晶硅层、多晶硅切割图形以及参考层完整设计版图；2)选取目标图形(T)，根据多晶硅切割图形切割到多晶硅图形的数目将目标图形划分为第一类目标图形(A)和第二类目标图形(B)；3)第一类目标图形(A)处理，将第一类目标图形(A)与多晶硅线垂直的两边分别向内收缩第一尺寸(W1)；4)第二类目标图形处理(B)，标记多晶硅切割图形的线端边(E)，当所述线端边至其对面多晶硅图形的距离大于第二尺寸(S)时，对多晶硅切割图形的线端边进行延长，延长第三尺寸(X)，当所述线端边至其对面多晶硅图形的距离小于等于第二尺寸(S)时，若所述线端边(E)伸出长度小于第四尺寸(L)，则对多晶硅切割图形进行加宽，加宽第五尺寸(W2)；5)对修正后的多晶硅层切割图形进行基于模型的OPC后续修正处理,得到mask图形。