[发明专利]SRAM写控制电路有效
| 申请号： | 201811557968.9 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109841251B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张一平 | 申请（专利权）人： | 成都海光集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 潘彦君;李丽 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | SRAM写控制电路，包括写探测单元及字线加压单元，字线加压单元适于拉升所述存储单元写字线的电压，包括使能端及输出端，其中输出端与字线驱动电路的电源信号输入端耦接；写探测单元，适于模拟所述存储单元的写入过程，输入端耦接时钟信号，输出端耦接所述字线加压单元的使能端，基于模拟结果输出相应的使能信号。采用上述的方案，可以解决SRAM功耗较大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | sram 控制电路 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM写控制电路，所述SRAM包括存储单元，所述存储单元的写字线与字线驱动电路的输出端耦接；其特征在于，所述SRAM写控制电路包括：写探测单元及字线加压单元，其中：所述字线加压单元，适于拉升所述存储单元写字线的电压，包括使能端及输出端，其中输出端与所述字线驱动电路的电源信号输入端耦接；所述写探测单元，适于模拟所述存储单元的写入过程，输入端耦接时钟信号，输出端耦接所述字线加压单元的使能端，基于模拟结果输出相应的使能信号。
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