[发明专利]半导体发光器件在审

专利信息
申请号: 201811562995.5 申请日: 2018-12-20
公开(公告)号: CN110085715A 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 尹柱宪;金台勋;沈载仁 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体发光器件,包括:发光结构,其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;透明电极层,其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域,所述透明电极层具有设置在所述第一区域中的多个第一通孔;绝缘反射层,其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔;和反射电极层,其在所述绝缘反射层的所述区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
搜索关键词: 透明电极层 通孔 半导体发光器件 绝缘反射层 第二区域 第一区域 堆叠方向 导电类型半导体层 导电型半导体层 第一导电类型 反射电极层 半导体层 发光结构 堆叠 源层 覆盖
【主权项】:
1.一种半导体发光器件,包括:发光结构,其具有沿堆叠方向在其中堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;透明电极层,其在所述第二导电型半导体层上并且被分为第一区域和第二区域,所述透明电极层在所述第一区域中具有多个第一通孔;绝缘反射层,其覆盖所述透明电极层并且在沿所述堆叠方向与所述第二区域重叠的区域中具有多个第二通孔;和反射电极层,其在所述绝缘反射层的第一区域上并通过所述多个第二通孔连接到所述透明电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811562995.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top