[发明专利]Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法在审
| 申请号： | 201811565337.1 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109671622A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李嘉 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法。该Cu膜的制备方法包括：在玻璃基板上沉积形成Cu膜；在Cu膜之上形成光阻图形；对Cu膜刻蚀出所需要的金属图形；对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，该高温预处理的温度为150℃～300℃。本发明实施例中利用试验推论得出Cu吸放热理论，对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，然后进行其他制程，可以得到较好Taper角，避免因圆形Taper导致的尖端放电，提高TFT生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 高温预处理 制备 薄膜晶体管 刻蚀金属 阵列基板 玻璃基板 光阻图形 尖端放电 金属图形 沉积 放热 刻蚀 良率 制程 试验 生产 | ||
【主权项】：
1.一种Cu膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在玻璃基板上沉积形成Cu膜；在所述Cu膜之上形成光阻图形；对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形；对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，所述高温预处理的温度为150℃～300℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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