[发明专利]多晶硅切割废料合成高α相氮化硅粉体的工艺及反应器在审
| 申请号： | 201811566527.5 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109399583A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王艺馨;高礼文;孙百忠;孙兆江;尚庆刚;马振;邱章喜 | 申请（专利权）人： | 泰晟新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 255100 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化硅合成技术领域，具体涉及一种多晶硅切割废料合成高α相氮化硅粉体的工艺及反应器。所述合成工艺，包括以下步骤：(1)对多晶硅切割废料进行提纯，得到金属硅粉体；(2)将步骤(1)得到的金属硅粉体和氮化硅粉体混合，球磨，干燥，粉碎，得到混合粉体；(3)将步骤(2)得到的混合粉体装入反应器，通入氮、氢混合气，进行氮化反应，反应完成后，降温至50‑100℃，即得高α相氮化硅粉体。本发明的合成工艺反应周期短，合成效率高，制备的氮化硅粉体纯度高，α相氮化硅含量高；本发明还提供多晶硅切割废料合成高α相氮化硅粉体的反应器，构造简单，操作简便。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅粉体 多晶硅切割 反应器 合成 合成工艺 混合粉体 金属硅粉 氮化硅 氮化反应 反应周期 合成技术 混合气 提纯 球磨 制备 装入 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅切割废料合成高α相氮化硅粉体的工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)对多晶硅切割废料进行提纯，得到D50＝1‑10μm，单质硅含量≥99.9％的金属硅粉体；(2)将步骤(1)得到的金属硅粉体和氮化硅粉体混合，球磨至D50＝0.8‑3.0μm，输送至喷雾干燥塔进行干燥，干燥至挥发份≤0.3％，D50＝5‑20μm，再进入气流磨粉碎至D50＝0.8‑3μm，D0≥0.5μm，得到混合粉体；(3)将步骤(2)得到的混合粉体装入反应器，从反应器底部通入1000‑1200℃的氮、氢混合气，进行氮化反应，反应温度为1200‑1350℃，反应时间为18‑28h，反应完成后，向反应器中通入常温氮气，至温度为500‑600℃，停止通入氮气，继续冷却至温度为50‑100℃，即得高α相氮化硅粉体。
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