[发明专利]晶体管布置及其生产方法

摘要

公开晶体管布置及其生产方法。晶体管布置包括：层堆叠，具有第一掺杂类型的多个第一半导体层（110）和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层（120）；第一晶体管器件（M1）的第一源区（13），邻接多个第一半导体层（110）；第一晶体管器件（M1）的第一漏区（15），邻接多个第二半导体层（120）并在第一方向与第一源区（13）间隔开；第一晶体管器件（M1）的多个栅区（14），多个栅区（14）中每个邻接多个第二半导体层（120）中至少一个，布置在第一源区（13）和第一漏区（15）之间，并与第一源区（13）和第一漏区（15）间隔开；第三半导体层（130），邻接层堆叠（110，120）和第一源区（13）、第一漏区（15）及栅区（14）中每个；和第二晶体管器件（M2）的有源区，集成在第三半导体层（130）中。

主权项

1.一种晶体管布置，包括：层堆叠，其具有第一掺杂类型的多个第一半导体层（110）和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层（120）；第一晶体管器件（M1）的第一源区（13），其邻接多个第一半导体层（110）；第一晶体管器件（M1）的第一漏区（15），其邻接多个第二半导体层（120）并在第一方向上与第一源区（13）间隔开；第一晶体管器件（M1）的多个栅区（14），其中多个栅区（14）中的每个邻接多个第二半导体层（120）中的至少一个，被布置在第一源区（13）和第一漏区（15）之间，并与第一源区（13）和第一漏区（15）间隔开；第三半导体层（130），其邻接层堆叠（110，120）和第一源区（13）、第一漏区（15）及栅区（14）中的每个；以及第二晶体管器件（M2）的有源区，其在与第三半导体层（130）的第一区（131）间隔开的第二区（132）中集成在第三半导体层（130）中，其中第一区（131）以第一源区（13）和第一漏区（15）为边界并且具有第二掺杂类型。