[发明专利]半导体器件以及其制造方法在审
| 申请号： | 201811570115.9 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110085523A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 都原彻;朴斗铉;白钟植;李志宪;徐成民 | 申请（专利权）人： | 安默克技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/00;H01L23/04;H01L21/683;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;王红艳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件以及制造其的方法，制造半导体器件的方法包括：在临时基板上接收一结构，该结构包括：插入件，该插入件包括导电层以及介电层；半导体管芯，耦接至所述插入件的第一侧，半导体管芯包括多个导电凸块；以及封装材料，覆盖半导体管芯的第一侧，覆盖插入件的第一侧，并且横向包围半导体管芯；使封装材料变薄；并且将多个导电互连结构耦接至插入件的第二侧。 | ||
| 搜索关键词： | 插入件 半导体管芯 半导体器件 封装材料 耦接 制造 导电互连 导电凸块 横向包围 临时基板 导电层 介电层 变薄 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在临时基板上接收一结构，所述结构包括：插入件，所述插入件包括：导电层；以及介电层；半导体管芯，耦接至所述插入件的第一侧，所述半导体管芯包括多个导电凸块；以及封装材料，覆盖所述半导体管芯的第一侧，覆盖所述插入件的所述第一侧，并且横向包围所述半导体管芯；使所述封装材料变薄；并且将多个导电互连结构耦接至所述插入件的第二侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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