[发明专利]主动开关及其制作方法、显示装置在审
| 申请号： | 201811570125.2 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109727874A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨凤云;卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李文渊 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种主动开关的制作方法，该方法包括：提供一基板，并在所述基板上形成栅极；在所述栅极上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层，采用第一速率沉积所述第一子栅极绝缘层，采用第二速率沉积第二子栅极绝缘层，采用第三速率沉积第三子栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极；其中，采用两次湿法刻蚀工艺和两次干法刻蚀工艺形成所述有源层、复合掺杂层、源漏极以及一沟道区。本申请可有效降低主动开关器件的光漏电流，改善IS现象。本申请还提供一种主动开关和显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 子栅极 栅极绝缘层 主动开关 沉积 复合掺杂 显示装置 源漏极 基板 源层 申请 沉积栅极绝缘层 干法刻蚀工艺 光漏电流 湿法刻蚀 沟道区 叠设 制作 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种主动开关的制作方法，其特征在于，所述主动开关的制作方法包括：提供一基板，并在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；在所述基板上沉积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括依次叠设的第一子栅极绝缘层、第二子栅极绝缘层及第三子栅极绝缘层，采用第一速率沉积所述第一子栅极绝缘层，采用第二速率沉积第二子栅极绝缘层，采用第三速率沉积第三子栅极绝缘层，所述第一速率、第二速率及第三速率的数值依次递减；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层、复合掺杂层和源漏极；其中，采用两次湿法刻蚀工艺和两次干法刻蚀工艺形成所述有源层、复合掺杂层、源漏极以及一沟道区，所述沟道区贯穿所述复合掺杂层、并部分贯穿至所述有源层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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