[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。该阵列基板包括薄膜晶体管和存储电容，薄膜晶体管包括：基板；形成于基板上的栅极；栅极绝缘层，形成于栅极上；有源层，形成于栅极绝缘层上，且有源层与栅极相对设置；蚀刻阻挡层，形成于有源层上；其中，部分蚀刻阻挡层覆盖于栅极绝缘层上，另一部分蚀刻阻挡层覆盖于有源层上、并使有源层的两侧边沿露出；形成于所述蚀刻阻挡层上的源极与漏极；该存储电容包括：第一极板，形成于基板上；栅极绝缘层，形成于第一极板上；及第二极板，形成于栅极绝缘层上，且所述第二极板与所述第一极板相对设置；其中，位于所述栅极之上的栅极绝缘层的厚度大于位于所述第一极板之上的栅极绝缘层的厚度。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管和存储电容，所述薄膜晶体管包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述基板上，并覆盖所述栅极；有源层，形成于所述栅极绝缘层上，且所述有源层与所述栅极相对设置；蚀刻阻挡层，形成于所述有源层上；其中，部分蚀刻阻挡层覆盖于所述栅极绝缘层上，另一部分蚀刻阻挡层覆盖于所述有源层上，并使所述有源层的两侧边沿露出；形成于所述蚀刻阻挡层上的源极与漏极；所述存储电容包括：第一极板，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述第一极板上；及第二极板，形成于所述栅极绝缘层上，且所述第二极板与所述第一极板相对设置；其中，位于所述栅极之上的栅极绝缘层的厚度大于位于所述第一极板之上的栅极绝缘层的厚度。