[发明专利]一种埋入式芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811571261.3 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111354645B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 黄立湘;缪桦 | 申请（专利权）人： | 深南电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/60;H01L23/49 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种埋入式芯片及其制备方法，该埋入式芯片的制备方法在对电路板进行图案化处理和金属电镀时，形成围绕电路板内部的芯片本体的导电闭环结构，令芯片本体的引脚焊盘通过导电闭环结构相互导通，进而在后续形成芯片引脚时，可通过导电闭环结构对切割芯片产生的静电电流进行分散，实现对芯片的静电保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 埋入 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
