[发明专利]一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法在审

专利信息
申请号: 201811576984.2 申请日: 2018-12-23
公开(公告)号: CN109665872A 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 周东平 申请(专利权)人: 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司
主分类号: C04B41/90 分类号: C04B41/90
代理公司: 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 代理人: 明志会
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工业园区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法,S1、将氮化铝陶瓷基板进行预处理;S2、将烘干后的氮化铝陶瓷基板投入高温烤箱;S3、对氮化铝陶瓷基板进行清洗;S4、金属化镀膜,将氮化铝基板装入工装夹具内,再投放入蒸发镀膜设备,在真空度达到2X10(‑2)PA、温度达到200℃后开始镀膜,蒸发过程中先蒸发Ti金属形成Ti层;再蒸发Pt金属形成Pt层;最后蒸发Au金属形成Au层。S5、蒸发镀膜完成后,设置降温曲线。本发明采用蒸发镀膜的方法做薄膜金属化可以大大提高陶瓷金属化的效率,镀膜面积大幅提高,同时节省了靶材和设备费用,降低了镀膜成本。
搜索关键词: 氮化铝陶瓷基板 金属形成 蒸发 氮化铝陶瓷 金属化薄膜 蒸发镀膜 镀膜 预处理 蒸发镀膜设备 薄膜金属化 氮化铝基板 金属化镀膜 陶瓷金属化 镀膜成本 高温烤箱 工装夹具 降温曲线 设备费用 蒸发过程 烘干 靶材 制作 装入 清洗 投放
【主权项】:
1.一种基于氮化铝陶瓷的金属化薄膜制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、将氮化铝陶瓷基板进行预处理;S2、将烘干后的氮化铝陶瓷基板投入高温烤箱;S3、对氮化铝陶瓷基板进行清洗;S4、金属化镀膜,将氮化铝基板装入工装夹具内,再投放入蒸发镀膜设备,在真空度达到2X10(‑2)PA、温度达到200℃后开始镀膜,蒸发过程中先蒸发Ti金属形成Ti层,Ti层的厚度为200‑800nm;再蒸发Pt金属形成Pt层,Pt层的厚度为200‑800nm;最后蒸发Au金属形成Au层,Au层的厚度为200‑3000nm;S5、蒸发镀膜完成后,设置降温曲线,第一阶段250℃恒温30‑60分钟,第二阶段200℃恒温30‑60分钟,第三阶段150℃恒温30‑60分钟后自然冷却。
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