[发明专利]沟槽肖特基器件在审
| 申请号： | 201811578438.2 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109473470A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 左义忠;杨寿国;王修忠;王鹏;邢文超 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽肖特基器件，涉及半导体器件的技术领域，包括单晶层和设置在单晶层上的金属硅化物层、沟槽肖特基器件形成贯穿金属硅化物层以及贯穿部分单晶层的沟槽，沟槽包括宽径区、窄径区和变径区，变径区为由窄径区过渡到宽径区的区域，宽径区和部分变径区位于单晶层内，解决势垒金属溅射困难的问题，进而极大程度地缓解漏电现象。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶层 肖特基器件 变径 宽径 金属硅化物层 窄径 半导体器件 漏电现象 势垒金属 贯穿 溅射 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽肖特基器件，其特征在于，包括单晶层和设置在所述单晶层上的金属硅化物层、所述沟槽肖特基器件形成贯穿所述金属硅化物层以及贯穿部分所述单晶层的沟槽，所述沟槽包括宽径区、窄径区和变径区，所述变径区为由所述窄径区过渡到所述宽径区的区域，所述宽径区和部分所述变径区位于所述单晶层内。
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