[发明专利]包括分布电流的硅通孔的半导体装置在审
| 申请号： | 201811580255.4 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110098163A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 卢寿政;吴致成;孙教民;金勇基;文钟淏;禹昇汉;尹载允 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 半导体裸片 半导体装置 分布电流 电连接 基底 电源线 堆叠 电路 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底，其中，“M”和“K”中的每个独立地为2或更大的整数；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线被提供电压和电流，其中，第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N+1半导体裸片堆叠在第一半导体裸片至第M半导体裸片中的第N半导体裸片上，“N”为不小于1且不大于M‑1的整数，其中，第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的一个硅通孔，其中，所述一个硅通孔在平面图中不与第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的相应的硅通孔叠置，并且其中，第一半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔均连接到供应电压和电流的电源。
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