[发明专利]非易失性存储器器件及其初始化信息读取方法在审
| 申请号： | 201811586144.4 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110379450A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李润烈;韩煜基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 范心田 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种从非易失性存储器器件读取初始化信息的方法。在该方法中，当检测到加电时，非易失性存储器器件对源电压进行分压，以产生要在初始化信息读取操作中向未选字线提供的低读取通过电压。低读取通过电压被设置为在接地电压和源电压之间的至少一个电压。非易失性存储器器件允许基于加电在初始化信息读取操作中不对源电压进行泵浦。在初始化信息读取操作中，非易失性存储器器件向未选字线提供低读取通过电压，并且向选定字线提供读取电压，以读取存储器单元中存储的初始化信息。 | ||
| 搜索关键词： | 初始化信息 非易失性存储器器件 读取 读取操作 源电压 未选字线 加电 读取存储器 读取电压 接地电压 选定字线 泵浦 分压 存储 检测 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器器件，包括：存储器单元阵列，被配置为将针对所述非易失性存储器器件的初始化信息存储在连接到多个字线的存储器单元中；控制电路，被配置为在读取所述初始化信息的初始化信息读取操作中，控制向选定字线施加第一读取电压，并且控制向未选字线施加第二读取电压；以及电压产生器，被配置为响应于在所述初始化信息读取操作中从所述控制电路提供的电压控制信号，降低源电压以产生所述第二读取电压。
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