[发明专利]晶体管结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811587509.5 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111354681B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶体管结构及其形成方法，晶体管结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；刻蚀所述第一区域的基底，形成第一衬底和多个分立于所述第一衬底上的第一鳍部，相邻所述第一鳍部之间为第一凹槽；刻蚀所述第二区域的基底，形成第二衬底和多个分立于所述第二衬底上的第二鳍部，相邻所述第二鳍部之间为第二凹槽；所述第二凹槽的深度小于所述第一凹槽的深度；对所述第二凹槽的底面掺杂离子，所述掺杂离子的类型与所述晶体管的掺杂类型相反；掺杂离子后，在所述第一凹槽和第二凹槽中形成隔离层。在第二凹槽的底面掺杂离子，提高了寄生器件的阈值电压，使得器件工作时，寄生器件不容易开启。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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