[发明专利]P型背接触型太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种P型背接触型太阳能电池及其制作方法，在P型半导体衬底的背面上设置多个N+型半导体结构，在N+型半导体结构之间设置第一电极，所述第一电极中的金属原子扩散到所述背面内，形成P+半导体结构，无需对P型半导体衬底进行磷扩散以及硼扩散，即可在背面形成交替排布的N+型半导体结构与P+半导体结构，制作工艺简单，制作成本低。将第一电极以及第二电极均设置在背面，正面无需设置电极，从而避免了正面设置电极对光造成的反射问题，提高了光的利用率，进而提高了光电转换效率。而且位于背面上的N+型半导体结构相对于传统通过扩散形成于背面内的P+掺杂区，具有更好的表面钝化效果，可以进一步提高光电转换效率。

主权项

1.一种P型背接触型太阳能电池，其特征在于，所述P型背接触型太阳能电池包括：P型半导体衬底，所述P型半导体衬底具有相反的正面以及背面；设置在所述背面上的多个N+型半导体结构，所述N+型半导体结构间隔排布；设置在所述背面上的第一电极，所述第一电极位于所述N+型半导体结构之间，所述第一电极中的金属原子扩散到所述背面内，形成P+半导体结构；设置在所述N+型半导体结构背离所述P型半导体衬底一侧表面的第二电极；其中，在平行于所述背面的方向上，所述N+型半导体结构与所述P+半导体结构交替排布。