[发明专利]光产生器及使用其制造集成电路装置的方法在审
| 申请号： | 201811597573.1 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110501879A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 田炳焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种包括残余物屏蔽组件的光产生器及使用其制造集成电路装置的方法，所述光产生器包括：室，具有等离子体产生空间；光学元件，位于室中；以及残余物屏蔽组件，在室中位于光学元件与等离子体产生空间之间，残余物屏蔽组件包括保护膜和保护框架，保护膜覆盖光学元件并与光学元件分隔开，保护膜与光学元件之间具有保护空间，保护空间包括光路，保护框架支撑保护膜并且将保护空间与等离子体产生空间屏蔽开。 | ||
| 搜索关键词： | 光学元件 等离子体产生空间 屏蔽组件 保护膜 残余物 保护框架 光产生器 集成电路装置 保护膜覆盖 光路 屏蔽 分隔 支撑 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路装置的方法，所述方法包括：/n在基底上形成光致抗蚀剂层；以及/n通过使用包括光产生器的光刻设备将光致抗蚀剂层曝光于光，/n其中，光产生器包括：/n室，具有等离子体产生空间；/n光学元件，位于室中；以及/n残余物屏蔽组件，在室中位于光学元件与等离子体产生空间之间，/n其中，残余物屏蔽组件包括：/n保护膜，面对光学元件并与光学元件分隔开，保护膜与光学元件之间具有保护空间，保护空间包括光路；以及/n保护框架，支撑保护膜并且将保护空间与等离子体产生空间屏蔽开。/n
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