[发明专利]集成电路器件在审
| 申请号： | 201811598341.8 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110034189A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 金明寿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括衬底和在衬底上的器件隔离膜。衬底的有源区域由衬底上的器件隔离膜限定，并在水平方向上具有第一宽度。栅电极在有源区域上，并在水平方向上具有等于或小于有源区域的第一宽度的第二宽度。该集成电路器件包括在器件隔离膜和有源区域之上的绝缘间隔物。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路器件 源区域 衬底 器件隔离膜 绝缘间隔物 栅电极 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：衬底；在所述衬底上的器件隔离膜，其中所述衬底的有源区域由所述衬底上的所述器件隔离膜限定，并且在水平方向上包含第一宽度；在所述有源区域中的成对的源极/漏极区域；在所述有源区域的位于所述成对的源极/漏极区域之间的部分之上的栅电极，所述栅电极在所述水平方向上包含第二宽度，所述第二宽度等于或小于所述有源区域的所述第一宽度；绝缘间隔物，包括在所述器件隔离膜之上的第一间隔物部分和在所述有源区域之上的第二间隔物部分，其中所述第一间隔物部分和所述第二间隔物部分分别在所述栅极电极的第一侧壁和第二侧壁上；以及绝缘膜，包括在所述有源区域与所述栅电极之间的栅极绝缘部分。
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