[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811598862.3 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110896057A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 谭宝豪 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/18;H01L25/00;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种具备不良情况更少的新颖构成的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含：衬底，具有第一面；第一半导体元件，设置在第一面上；多个半导体元件，以局部覆盖第一半导体元件的方式设置在第一面；接着层，设置在多个半导体元件与第一面之间、及多个半导体元件与第一半导体元件之间，且具有从第一面的正交方向观察时的周缘部朝向多个半导体元件的外侧方向鼓出的膨胀部；及覆盖膜，被覆第一半导体元件及多个半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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